InP-basierte Diodenlaser hoher Brillanz bei 14xx nm
Im Rahmen dieser Arbeit konnten erstmals mittels Feststo?quellen-MBE epitaxierte InGaAsP-Trapezlaser bei 14xx nm demonstriert werden. Der erste Teil der Arbeit befasste sich mit der Auslegung der Vertikalstruktur. Zur Modellierung wurde eine passive Berechnung des Modenverlaufs in Fast-Axis-Richtung ver- wendet. Dabei wurden zwei Ansätze zur Dimensionierung der Epitaxieschichten verfolgt: Zum einen wurde das bei GaAs-Hochleistungslasern bewährte LOC-Konzept auf InGaAsP transferiert, um ...